Unsa ang MISFET?

Nga elemento base sa mga lalang semiconductor nagpadayon sa pagtubo. Ang matag bag-ong imbento sa kapatagan, sa pagkatinuod, ang ideya sa pag-usab sa tanan nga mga electronic nga mga sistema. Ang pag-usab sa sirkito design kapabilidad sa pagdisenyog mga bag-o nga mga lalang makita sa ibabaw nila. Sukad sa pagmugna sa unang transistor (1948 g) gipasa sa usa ka hataas nga panahon. Kini imbento nga gambalay "pnp" ug "npn", bipolar transistors. Kapin sa panahon nga kini mipakita mis transistor, nga naglihok sa ibabaw sa baruganan sa mga kausaban sa electrical conductivity sa nawong semiconductor layer ubos sa impluwensya sa usa ka electric kapatagan. Busa laing ngalan alang niini nga elemento - sa usa ka uma.

Tir pinamubo sa iyang kaugalingon (metal-insulator-semiconductor) nagpaila sa mga internal nga istruktura sa niini nga apparatus. Ug sa pagkatinuod, ang shutter kini nahimulag gikan sa tinubdan ug habwa, limas sa usa ka manipis nga non-conductive layer. Modernong mis transistor adunay usa ka ganghaan gitas-on sa 0.6 microns. Pinaagi niini lamang moagi sa usa ka electromagnetic uma - nga kini makaapekto sa electrical kahimtang sa semiconductor.

ni tan-awon kon sa unsang paagi nga ang Himoa uma-epekto transistor, ug makakaplag sa unsa ang nag-unang kalainan sa bipolar "igsoon." Sa diha nga ang gikinahanglan nga kapasidad sa iyang ganghaan may usa ka electromagnetic uma. Kini makaapekto sa pagsukol sa junction tinubdan-habwa, limas junction. Ania ang pipila ka mga benepisyo sa paggamit sa lalang niini.

• Sa bukas nga kahimtang transition pagbatok habwa, limas-tinubdan dalan mao ang kaayo sa gagmay, ug ang mis transistor nga malampuson nga gigamit ingon nga usa ka electronic yawe. Pananglitan, mahimo kini sa pagkontrolar sa operasyon amplifier, nakalatas sa load o sa pag-apil diha sa katarungan sirkito.
• Usab sa timan-i, ug hatag-as nga input impedance sa mga lalang. Kini nga kapilian mao na may kalabutan sa diha nga nagtrabaho sa ubos-boltahe sirkito.
• Ubos nga kapasidad habwa, limas-tinubdan transition nagtugot mis transistor sa high-frequency lalang. Ubos sa walay pagtuis mahitabo sa panahon sa signal transmission.
• Development sa bag-ong mga teknolohiya sa produksyon sa mga elemento nga gipangulohan sa paglalang sa IGBT-transistors, nga combine sa mga positibo nga mga hiyas sa mga kapatagan ug sa bipolar mga selula. Gahum modules base sa kanila kaylap nga gigamit sa humok nga starters ug frequency converters.

Sa design ug operasyon sa niini nga mga elemento kinahanglan nga gidala ngadto sa asoy nga ang mis transistors kaayo sensitibo sa overvoltage sa sirkito ug nagahunong kuryente. Nga mao, ang mga lalang mahimong naguba kon ikaw sa paghikap sa pagkontrolar sa terminal. Sa diha nga ang pagbutang o sa pagwagtang sa paggamit espesyal nga grounding.

Palaaboton alang sa paggamit sa niini nga device mao ang maayo kaayo. Tungod sa iyang talagsaon nga mga kabtangan, kini kaylap nga gigamit sa nagkalain-laing mga electronic nga ekipo. Innovative nga mga direksyon sa modernong electronics mao ang paggamit sa gahum sa IGBT-modules alang sa operasyon sa nagkalain-laing sirkito, lakip na, ug induction.

Ang teknolohiya sa ilang produksyon mao ang kanunay nga milambo. Kini nga naugmad sa ang-ang (reduction) ganghaan sa gitas-on. Kini pagpalambo sa na maayo nga lantugi performance sa mga lalang.